Hallo Gemeinde,
Ich habe auf meinem System
Motherboard ID 05/22/2006-MS-7125-6A61FM49C-00
Motherboard Name MSI K8N Neo4 Platinum (MS-7125) Rev 1.0
BIOS W7125NMS V1.D 052206 11:35:51
4 Speicherriegel von MDT 2x512 (1. und 3. Bank) und 2x1GB (3. und 4. Bank) im Dual Channelbetrieb mit 400 MHz problemlos zum laufen bekommen und zwar stabil (seit einer Woche) und zwar unter Vista Ultimate 64bit.
Die Speichereinstellungen im Bios waren zunächst auf Auto. Da lief zwar der Dual Channel aber nur mit 333 MHz. Ich habe im Bios einfach das erste Auto auf 200 Mhz gestellt und sonst alle Einstellungen so gelassen.
In dem Biosteil in dem man Übertaktungseinstellungen vornehmen kann habe ich \"Seargent\" eingestellt. Das ist wohl 3% über \"normal\" und den Stromsparmodus aktiviert.
Es folgen Infos aus Everest:
Speicherbus-Eigenschaften
Bustyp Dual DDR SDRAM
Busbreite 128 Bit
DRAM:FSB Verhältnis CPU/5
Tatsächlicher Takt 201 MHz (DDR)
Effektiver Takt 402 MHz
Bandbreite 6430 MB/s
Motherboard Technische Information
CPU Sockel/Steckplätze 1 Socket 939
Erweiterungssteckplätze 4 PCI, 1 PCI-E x1, 1 PCI-E x4, 1 PCI-E x16
RAM Steckplätze 4 DDR DIMM
Integrierte Geräte Audio, Dual Gigabit LAN, IEEE-1394
Bauform (Form Factor) ATX
Motherboardgröße 240 mm x 300 mm
Motherboard Chipsatz nForce4-Ultra
Besonderheiten CoreCell, Dynamic Overclocking Technology, SATA, RAID
CPU-Eigenschaften
CPU Typ AMD Athlon 64, 2200 MHz (11 x 200) 3500+
CPU Bezeichnung Winchester S939
CPU stepping DH-D0
Befehlssatz x86, x86-64, MMX, 3DNow!, SSE, SSE2
Vorgesehene Taktung 2200 MHz
Min / Max CPU Multiplikator 4x / 11x
L1 Code Cache 64 KB (Parity)
L1 Datencache 64 KB (ECC)
L2 Cache 512 KB (On-Die, ECC, Full-Speed)
Speichersteckplätze
DRAM Steckplatz #1 512 MB (PC3200 DDR SDRAM)
DRAM Steckplatz #2 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM)
DRAM Steckplatz #3 512 MB (PC3200 DDR SDRAM)
DRAM Steckplatz #4 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM)
Speicher Timings
CAS Latency (CL) 2.5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 8T
Row Cycle Time (tRC) 7T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 24T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Write Recovery Time (tWR) 3T
Read To Write Delay (tRTW) 4T
Write To Read Delay (tWTR) 2T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 200 MHz 15.6 us
DQS Skew Control Deaktiviert
DRAM Drive Strength Normal
DRAM Data Drive Strength 4 (No Reduction)
Max Async Latency 5 ns
Read Preamble Time 5.5 ns
Idle Cycle Limit 256
Dynamic Idle Cycle Counter Deaktiviert
Read/Write Queue Bypass 8
Bypass Max 4
32-byte Granularity Deaktiviert
Fehlerkorrektur
ECC Unterstützt, Deaktiviert
ChipKill ECC Unterstützt, Deaktiviert
RAID Nicht unterstützt
DRAM Scrub Rate Deaktiviert
L1 Data Cache Scrub Rate Deaktiviert
L2 Cache Scrub Rate Deaktiviert
Riegel 1:
Modulname MDT Tech. MDT512M PC400 CL2.
Seriennummer 8A172008h (136320906)
Herstellungsdatum Woche 21 / 2005
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Riegel 2:
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname MDT Tech. MDT512M PC400 CL2.
Seriennummer 8A172008h (136320906)
Herstellungsdatum Woche 21 / 2005
Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings
Riegel 3:
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname MDT Tech. MDT 1GB PC400 CL2.
Seriennummer 1C20200Ah (169877532)
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Riegel 4:
Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname MDT Tech. MDT 1GB PC400 CL2.
Seriennummer 1C20200Ah (169877532)
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings von allen Riegeln:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-13-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.0-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-11-2 (RC-RFC-RRD)
Ich hoffe, ihr könnt was damit anfangen.
Tschüss, ellveez